Prof. M.Seibt

Elektronische und optische Eigenschaften halbleitender Materialien, Bauelemente und Nanostrukturen werden bestimmt durch die von Defekten und Grenzflächen in die Bandlücke eingeführten elektronischen Zustände. Letztere können isolierte tiefe Zustände aber auch bandartige Zustände der zumeist nanoskaligen Systeme sein. Für das Verständnis des Zusammenhangs ihrer atomaren und elektronischen Struktur werden quantitative Methoden der hochauflösenden TEM kombiniert mit spektroskopischen Techniken. Aktuell ist ein wesentlicher Teil unserer Aktivitäten auf Halbleiter für die Photovoltaik fokussiert, wobei das Verständnis und die quantitative Modellierung von Defektreaktionen auf atomarer Skala als Grundlage für erfolgreiches defect engineering in solchen Materialien dient.