Presseinformation: Göttinger Physik: Förderung von Kooperationsprojekten mit Hongkong

Nr. 43/2006 - 01.02.2006

Deutscher Akademischer Austauschdienst unterstützt Forschung in der Nanotechnologie
(pug) Zwei Projekte auf dem Gebiet der Nanotechnologie, die Wissenschaftler am II. Physikalischen Institut der Universität Göttingen in Kooperation mit Forschern an Hochschulen in Hongkong durchführen, werden seit Jahresbeginn vom Deutschen Akademischen Austauschdienst (DAAD) gefördert. In dem Kooperationsprojekt von Prof. Dr. Hans Christian Hofsäss wollen die Physiker die Eigenschaften von Materialoberflächen gezielt beeinflussen. Im Mittelpunkt des zweiten Vorhabens unter der Leitung von Privatdozent Dr. Carsten Ronning steht die Analyse der kleinsten Kristallstrukturen von Halbleitern. Für die Jahre 2006 und 2007 stellt der DAAD im Rahmen seines Projektbezogenen Austauschprogramms insgesamt 18.000 Euro für Reisemittel zur Verfügung.
Prof. Hofsäss arbeitet mit Prof. Dr. Wenjun Zhang von der City University of Hong Kong zusammen. In ihrem DAAD-geförderten Projekt setzen sie Ionenstrahlen zur Nanostrukturierung von Dünnschichten auf Kohlenstoffbasis ein. „Kohlenstoff ist ein äußerst vielseitiges Funktionsmaterial, dessen Eigenschaften je nach Art der chemischen Bindung in weiten Grenzen von graphitartig bis diamantartig einstellbar ist. Daraus ergeben sich Möglichkeiten zur Anwendung zum Beispiel als Hartstoffbeschichtung, als mechanische Schutzschicht oder als Elektrodenmaterial“, erläutert Prof. Hofsäss. Die Bindungsstruktur an der Oberfläche der Beschichtungen sei dabei ein entscheidender Faktor. Ziel des Projektes ist es, die mechanischen und elektronischen Oberflächeneigenschaften solcher Kohlenstoffmaterialien durch Nanostrukturierung kontrolliert einzustellen.
In dem zweiten Projekt kooperiert Dr. Ronning mit Prof. Dr. Quan Li von der Chinese University of Hong Kong. Die Forscher befassen sich mit der Untersuchung von Halbleiter-Nanodrähten. „Dabei handelt es sich um kleinste, eindimensionale Kristallstrukturen im Nanometerbereich. Wir modifizieren deren optische und elektrische Eigenschaften durch das Einbringen weiterer Elemente; dieses Verfahren wird Dotierung genannt“, so Dr. Ronning. Die Forschergruppe in China dotiert die Halbleiter-Nanodrähte direkt während der Synthese. Das Göttinger Team präpariert dagegen undotierte Nanodrähte, die nachträglich mit den selben Elementen durch Ionenimplantation verändert werden. Im Mittelpunkt der gemeinsamen Arbeit steht die Analyse der kristallinen Struktur und der optischen Eigenschaften der Nanodrähte mit Hilfe der hochauflösenden Elektronenmikroskopie und der Photolumineszenz.
Kontaktadresse:
Prof. Dr. Hans Christian Hofsäss
Privatdozent Dr. Carsten Ronning
Georg-August-Universität Göttingen
Fakultät für Physik – II. Physikalisches Institut
Friedrich-Hund-Platz 1, 37077 Göttingen
Telefon (0551) 39-7632, Fax (0551) 39-4493
e-mail: hans.hofsaess@phys.uni-goettingen.de
e-mail: carsten.ronning@phys.uni-goettingen.de
Internet: http://physik2.uni-goettingen.de